增（zēng）加led強（qiáng）光手電筒功率可以從哪些方麵著手（shǒu）

我們知（zhī）道，LED功率的大小跟強光手電筒亮度有莫大的關係。通常（cháng）來講強（qiáng）光手電筒LED功率每增加一瓦，則理論上可提高手電筒亮度100lm左（zuǒ）右。因此高流明LED手電筒通常（cháng）采用大功率（lǜ）LED燈珠。那麽作為強光手（shǒu）電筒廠家有什麽（me）方法（fǎ）增加LED強光（guāng）手電（diàn）筒功率呢。

從LED手電筒製（zhì）造的角度而（ér）言（yán），作為LED強光手電筒製造商其采用的LED燈珠主（zhǔ）要從上遊LED生產商處獲得。手電筒組裝廠家組裝的強（qiáng）光LED手電其功率（lǜ）取決於上遊LED生（shēng）產商。接下來我們就來（lái）看看LED燈（dēng）珠生產（chǎn）廠商是如何提高LED功率的

1、要達到預期的磁通，LED生產廠家必須均勻分布TCL，通過有效增加流（liú）動（dòng）的電流量來提高LED功率進而提高LED手電筒的功率。

2、矽（guī）底板倒裝法，為（wéi）LED麵板燈芯片並（bìng）且選擇合適的尺寸，芯片尺寸（cùn），使當前的拓展距離可以縮短，以盡量減少支持和銦镓鋁（lǚ）氮化物擴（kuò）散阻（zǔ）力的ESD保護。二極（jí）管(ESD)的矽芯片安裝顛倒焊錫凸塊。

3、陶瓷板倒裝。晶（jīng）體結構的LED麵板燈芯片在陶瓷板和陶瓷基板的共晶釺料層（céng）和導電層產生的相應的引線，焊接電極中（zhōng）使用水晶LED芯片和大（dà）規（guī）格陶瓷（cí）薄（báo）板焊接。

4、采用藍寶石襯底過渡。在藍寶石襯底上生長InGaN芯片，然後再連接傳統的四元材料，製造大型結構的藍色LED芯片。

5、AlGaInN的碳化矽(SiC)背麵光的方法。