TANK007帶你進入強光手電之發光體的世界（jiè）

led強光手電筒的發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半導（dǎo）體製成的，其核（hé）心是PN結。因此（cǐ）它具有一般（bān）P-N結的I-N特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下（xià），它還具有發（fā）光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注（zhù）入N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部分與多數載流子（多子）複合而發光。

假設發光是在P區中（zhōng）發生的，那麽注入的電子與價帶空穴（xué）直接複（fù）合（hé）而發光，或者先被發光中心捕獲後，再與空穴複合發光。除了這種發光複合外，還有些電子被非發光中心（這（zhè）個中心介於導帶、介帶中（zhōng）間附近）捕獲（huò），而後再與空穴複合，每次釋放的能（néng）量不大，不能（néng）形（xíng）成可見光。發光的（de）複合量相對於非發光複合量的比例越大，光量子效率越高。由於複合是在（zài）少子擴散區內發光的，所以光僅在靠近PN結麵數μm以內產（chǎn）生。

理論和實踐證（zhèng）明，光（guāng）的峰（fēng）值波長λ與發光區（qū）域的半導體材料禁帶寬度Eg有關，即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產（chǎn）生可見（jiàn）光（波長在380nm紫光～780nm紅光（guāng）），半導（dǎo）體材料的（de）Eg應（yīng）在3.26～1.63eV之間。比（bǐ）紅光波（bō）長長的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及藍（lán）光發光二極（jí）管，但（dàn）其中藍（lán）光（guāng）二極管成本、價格很高，使用不普遍（biàn）。

如下是放大了數倍以後的外（wài）形對比圖片。

tank007的燈珠