LED芯片的製造流程是（shì）什麽樣（yàng）的？芯片技術的發展主流（liú）是什麽？

LED芯片製造主要（yào）是為（wéi）了製造有效可靠的低歐姆接（jiē）觸電極，並（bìng）能滿足可接觸材料之間最小的壓（yā）降及提供焊（hàn）線的壓墊，同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般（bān）用真空蒸鍍方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用電（diàn）阻（zǔ）加（jiā）熱（rè）或電子束轟（hōng）擊加熱方法使材料熔化，並（bìng）在低氣壓下（xià）變（biàn）成金屬（shǔ）蒸氣沉積在半導體材料（liào）表（biǎo）麵。一般所用的P型（xíng）接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N麵的接觸（chù）金屬常采（cǎi）用AuGeNi合金。鍍膜後形成的（de）合金（jīn）層還需（xū）要通過光刻工藝將發光區盡可能多地露出來，使（shǐ）留下來的合（hé）金層（céng）能滿足有效可（kě）靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。光刻（kè）工序結束（shù）後還要通過合金化過程，合（hé）金化通常（cháng）是在H2或N2的保（bǎo）護下進（jìn）行。合金化的時間和溫度通常是根據半導體材料特性與合（hé）金爐形式等因素決定。當然若是藍綠等芯片電極工藝還要複雜，需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。

隨著半導體LED技術的發展，其在照明領域的應（yīng）用也越來越多，特別（bié）是白光LED的出（chū）現（xiàn），更是成為半導體照明的熱點。但是（shì）關鍵的芯片、封裝技術還有待提高，在芯片方麵要（yào）朝大功率（lǜ）、高光效和降低（dī）熱阻方麵發展。提高功率意味著芯片（piàn）的使（shǐ）用電流加大，最直接的（de）辦（bàn）法是加大（dà）芯片尺寸，現在普遍（biàn）出現的大功率芯片都在1mm×1mm左右（yòu），使用電（diàn）流在350mA。由於使用電（diàn）流的加大（dà），散熱問題成為突出問題，現在通過芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。隨著LED技術的發展，其在照明領域的應用會麵臨一個前所未有的機遇和（hé）挑戰。